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窒化チタン半導体の合成に成功、エネルギーデバイスなどへの応用期待 – カーネギー研究所

窒化チタン半導体の合成に成功、エネルギーデバイスなどへの応用期待 – カーネギー研究所
カーネギー研究所の研究チームは、新たな窒化チタン半導体の合成に成功したと発表した。優れた機械強度と光電子特性を有するこの半導体は、金属のTiNのような機械強度と耐摩耗性をもつと考えられており、電子デバイスへのこれまでにない応用が期待される。
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